硒化铟In2Se3靶材 磁控溅射靶材 电子束镀膜蒸发料

硒化铟(In2Se3)靶材 磁控溅射靶材 电子束镀膜蒸发料 
【参数说明】
支持靶材定制，请提供靶材产品的元素、比例（重量比或原子比）、规格，我们会尽快为您报价！！ 
【产品介绍】
常温常压下稳定。
避免光，明火，高温。溶于强酸中易分解。半导性的化合物In2Se3具有缺陷的ZnS晶格结构，其中非金属原子被三个金属原子和一个空缺按四面体的方式排列着。化合物I[1]n2Se3还有另外的多晶型晶体。In2Se3(六面体的)的标准生成焓是(-318.0±5.0)kJ/mol。
中文名	硒化铟	熔点	667℃
化学式	In2Se3	密度	5.78g/mL （15℃）
分子量	466.516	外观	蓝色鳞片状晶体

【关于我们】
服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款，质量保证，售后**！
产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装
适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备 
质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度； 
加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库
陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差，连续长时间溅射易发生靶裂情况，绑定背靶后，可提高化合物靶材的导热性能，提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您，选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶！
我公司采用高纯铟作为焊料，铟焊厚度约为0.2mm，高纯无氧铜作为背靶。
注  ：高纯铟的熔点约为156℃，靶材工作温度**过熔点会导致铟熔化！绑定背靶不影响靶材的正常使用！ 
建议：陶瓷脆性靶材、烧结靶材，高功率下溅射易碎，建议溅射功率不**过3W/cm2。